FQAF10N80
| Номер детали производителя | FQAF10N80 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF |
| Упаковка | TO-3PF |
| В наличии | 71694 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 166 |
|---|
| $0.638 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 71694 Fairchild Semiconductor FQAF10N80 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-3PF |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 113W (Tc) |
| Упаковка / | TO-3P-3 Full Pack |
| Упаковка | Tube |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.7A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQAF13N80
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PFonsemi -
FQA9N90C
MOSFET N-CH 900V 9A TO3Ponsemi -
FQAF12P20
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PFFairchild Semiconductor -
FQA9P25
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3Ponsemi -
FQAF11N90C
MOSFET N-CH 900V 7A TO3PFonsemi -
FQAF14N30
MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PFFairchild Semiconductor -
FQA9N50
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3Ponsemi -
FQA9N90-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PFFairchild Semiconductor -
FQA9N90-F109
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PNonsemi -
FQAF14N30
MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PFonsemi -
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PFonsemi -
FQA9P25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PFonsemi -
FQA9N90
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FQA9N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 9A TO3Ponsemi -
FQA9N50
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PFairchild Semiconductor -
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PFonsemi -
FQAF12P20
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PFonsemi -
FQAF12N60
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PFonsemi