Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > FGL35N120FTDTU
Fairchild Semiconductor

FGL35N120FTDTU

Номер детали производителя FGL35N120FTDTU
производитель Fairchild Semiconductor
Подробное описание INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Упаковка HPM F2
В наличии 19983 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
50
$2.242
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 19983 Fairchild Semiconductor FGL35N120FTDTU в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.2V @ 15V, 35A
режим для испытаний 600V, 35A, 10Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 34ns/172ns
Переключение энергии 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства HPM F2
Серии -
Обратное время восстановления (ТИР) 337 ns
Мощность - Макс 368 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-264-3, TO-264AA
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Заряд затвора 210 nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 105 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 70 A

Рекомендуемые продукты

FGL35N120FTDTU DataSheet PDF

Ключевые слова для FGL35N120FTDTU

Связанные детали для FGL35N120FTDTU