FDS8876
| Номер детали производителя | FDS8876 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC |
| Упаковка | 8-SOIC |
| В наличии | 200837 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 604 |
|---|
| $0.19 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 200837 Fairchild Semiconductor FDS8876 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 12.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1650 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
FDS8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDS8870
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIConsemi -
FDS8878
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIConsemi -
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIConsemi -
FDS8884
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDS8858CZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDS8842NZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDS8870
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDS8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDS8870_G
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIConsemi -
FDS8874
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIConsemi -
FDS8878-F123
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30Vonsemi -
FDS8874
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOICFairchild Semiconductor -
FDS8858CZ
MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIConsemi -
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIConsemi -
FDS8840NZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIConsemi -
FDS8876-F40
30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFETonsemi -
FDS8876
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIConsemi -
FDS8842NZ
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIConsemi