FDN336P
| Номер детали производителя | FDN336P |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Упаковка | SOT-23-3 |
| В наличии | 662729 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 2156 |
|---|
| $0.051 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 662729 Fairchild Semiconductor FDN336P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±8V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-3 |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 500mW (Ta) |
| Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Рекомендуемые продукты
-
FDN308P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN336P-NL
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3onsemi -
FDN337N-F169
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3onsemi -
FDN335N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN338P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN336P
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3onsemi -
FDN335N
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3onsemi -
FDN304PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3onsemi -
FDN339AN
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3onsemi -
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3onsemi -
FDN306P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN335N
SOT-23 MOSFETS ROHSUMW -
FDN338P
20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1UMW -
FDN338P
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3onsemi -
FDN327N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN338P_G
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3onsemi -
FDN339AN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFairchild Semiconductor -
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3onsemi -
FDN308P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3onsemi