FCP190N65F
| Номер детали производителя | FCP190N65F |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
| Упаковка | TO-220-3 |
| В наличии | 5701 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 5701 Fairchild Semiconductor FCP190N65F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 2mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 208W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3225 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20.6A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FCP190 |
Рекомендуемые продукты
-
FCP16N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 16A TO220Fonsemi -
FCP190N60E
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEonsemi -
FCP170N60
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3Fairchild Semiconductor -
FCP16N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FCP1913H104G-E3
CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H473G-E1
CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H104J-E3
CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP16N60
MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3onsemi -
FCP1913H473G
CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3Fairchild Semiconductor -
FCP1913H104G
CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H104G-E2
CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3onsemi -
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3onsemi -
FCP1913H104J-E2
CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP170N60
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3onsemi -
FCP190N65S3
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3onsemi -
FCP190N65F
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3onsemi -
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3onsemi -
FCP16N60N
MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3onsemi