EM6HE16EWXD-10IH
| Номер детали производителя | EM6HE16EWXD-10IH |
|---|---|
| производитель | Etron Technology, Inc. |
| Подробное описание | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA |
| Упаковка | 96-FBGA (9x13) |
| В наличии | 16236 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 2000 |
|---|
| $2.138 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Etron Technology, Inc..У нас есть кусочки 16236 Etron Technology, Inc. EM6HE16EWXD-10IH в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.283V ~ 1.45V |
| Технологии | SDRAM - DDR3L |
| Поставщик Упаковка устройства | 96-FBGA (9x13) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 96-TFBGA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 4Gbit |
| Организация памяти | 256M x 16 |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 933 MHz |
| Базовый номер продукта | EM6HE16 |
| Время доступа | 20 ns |
Рекомендуемые продукты
-
EM6J1T2R
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6Rohm Semiconductor -
EM6HE16EWAKG-10IH
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6K31GT2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6Rohm Semiconductor -
EM6HE08EW3F-12H
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6HD16EWBH-10IH
IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6HE08EW8D-10IH
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6Rohm Semiconductor -
EM6HE16EWAKG-10H
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6Rohm Semiconductor -
EM6HE08EW3F-10IH
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6HF16EBXB-12SH
8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WINDEtron Technology, Inc. -
EM6K7T2CR
1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLRohm Semiconductor -
EM6HE08EW8D-10H
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V EMT6Rohm Semiconductor -
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6Rohm Semiconductor -
EM6HE16EWXD-10H
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6HE08EW9G-10IH
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6K33T2R
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6Rohm Semiconductor -
EM6HE08EW9G-10H
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAEtron Technology, Inc. -
EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6Rohm Semiconductor