Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > EPC8008ENGR
EPC8008ENGR Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

EPC8008ENGR

Номер детали производителя EPC8008ENGR
производитель EPC
Подробное описание TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Упаковка
В наличии 5932 pcs
Техническая спецификация EPC8008 Preliminary DatasheeteGaN® FET Brief
Справочная цена (В долларах США)
100
$5.62
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии EPC.У нас есть кусочки 5932 EPC EPC8008ENGR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - испытания 25pF @ 20V
Напряжение - Разбивка Die
Vgs (й) (Max) @ Id 325 mOhm @ 500mA, 5V
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Серии eGaN®
Статус RoHS Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7A (Ta)
поляризация Die
Другие названия 917-EPC8008ENGR
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Уровень влажности (MSL) 1 (Unlimited)
Номер детали производителя EPC8008ENGR
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 0.18nC @ 5V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 2.5V @ 250µA
FET Характеристика N-Channel
Расширенное описание N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Слить к источнику напряжения (VDSS) -
Описание TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40V
Коэффициент емкости -

Рекомендуемые продукты

EPC8008ENGR DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для EPC8008ENGR

Связанные детали для EPC8008ENGR