Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

EPC2104ENG

Номер детали производителя	EPC2104ENG
производитель	EPC
Подробное описание	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Упаковка	Die
В наличии	8396 pcs
Техническая спецификация	EPC2104 Datasheet

Справочная цена (В долларах США)

100
$4.095

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии EPC.У нас есть кусочки 8396 EPC EPC2104ENG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 5.5mA
Поставщик Упаковка устройства	Die
Серии	eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 20A, 5V
Мощность - Макс	-
упаковка	Tray
Упаковка /	Die
Другие названия	917-EPC2104ENG EPC2104ENGRH4
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount

Свойства продукта	Значение атрибута
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	800pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	7nC @ 5V
Тип FET	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика	GaNFET (Gallium Nitride)
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100V
Подробное описание	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	23A