1N5406BULK
| Номер детали производителя | 1N5406BULK |
|---|---|
| производитель | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| Подробное описание | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Упаковка | DO-201AD |
| В наличии | 518552 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 500 |
|---|
| $0.074 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии EIC SEMICONDUCTOR INC..У нас есть кусочки 518552 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5406BULK в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-201AD |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | DO-201AD, Axial |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Bag |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 28pF @ 4V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
1N5406G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADSMC Diode Solutions -
1N5406-AP
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADMicro Commercial Co -
1N5406G-T
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5406-F
DIODE GEN PURP 600V 3A DO-201ADRectron USA -
1N5406G A0G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5406-TP
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADMicro Commercial Co -
1N5406-E3/51
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5406G
DO-201AD 600V 3A Diodes RectifYangjie Technology -
1N5406-E3/54
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5406-T
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5406-G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO27Comchip Technology -
1N5406-E3/73
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5406-B
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5406GHA0G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5406G B0G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5406G
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIALonsemi -
1N5406GHB0G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5406G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5406
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADSMC Diode Solutions -
1N5406GH
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation