Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > MMBT5551Q-7
MMBT5551Q-7 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MMBT5551Q-7

Номер детали производителя MMBT5551Q-7
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
Упаковка SOT-23-3
В наличии 1196095 pcs
Техническая спецификация Diodes Environmental Compliance CertMMBT5551Q
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.137 $0.102 $0.058 $0.038 $0.029
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1196095 Diodes Incorporated MMBT5551Q-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 160 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3
Серии Automotive, AEC-Q101
Мощность - Макс 300 mW
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 300MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 50nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 600 mA

Рекомендуемые продукты

MMBT5551Q-7 DataSheet PDF

Техническая спецификация