DMT64M2LPSW-13
| Номер детали производителя | DMT64M2LPSW-13 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI |
| Упаковка | PowerDI5060-8 (Type Q) |
| В наличии | 371293 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev 05/Dec/2019DMT64M2LPSW |
Справочная цена (В долларах США)
| 2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
|---|---|---|---|
| $0.143 | $0.135 | $0.13 | $0.127 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 371293 Diodes Incorporated DMT64M2LPSW-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerDI5060-8 (Type Q) |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.8W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2799 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 46.7 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | DMT64 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT615MLFV-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT64M1LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT61M8SPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506Diodes Incorporated -
DMT67M8LCG-7
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT64M8LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT67M8LCG-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT67M8LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDIDiodes Incorporated -
DMT67M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2Diodes Incorporated -
DMT67M8LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&RDiodes Incorporated -
DMT615MLFV-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333Diodes Incorporated -
DMT6030LFDF-13
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT64M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2Diodes Incorporated -
DMT67M8LCGQ-7
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFNDiodes Incorporated -
DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT61M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506Diodes Incorporated -
DMT6030LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT64M1LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333Diodes Incorporated -
DMT616MLSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SODiodes Incorporated