Изображение может быть представлением. см. Раздел для деталей продукта.
DMT6005LCT
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 66652 Diodes Incorporated DMT6005LCT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства
TO-220-3
Серии
Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)
2.3W (Ta), 104W (Tc)
Упаковка /
TO-220-3
Упаковка
Tube
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта
Значение атрибута
Тип установки
Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2962 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
47.1 nC @ 10 V
Тип FET
N-Channel
FET Характеристика
-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)
60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
100A (Tc)
Базовый номер продукта
DMT6005
Рекомендуемые продукты
DMT6005LFG-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
DMT6006LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Diodes Incorporated
DMT4P22K-F
CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
DMT6005LFG-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
DMT6007LFG-7
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-7
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-13
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Diodes Incorporated
DMT5012LFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Diodes Incorporated
DMT6007LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Diodes Incorporated
DMT6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Diodes Incorporated
DMT6004SPS-13
MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
DMT6007LFG-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Diodes Incorporated
DMT5012LFVW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Diodes Incorporated
DMT6006SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Diodes Incorporated
DMT6004SCT
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Diodes Incorporated
DMT6005LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Diodes Incorporated
DMT6005LSS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
Diodes Incorporated
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
DMT6006LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Diodes Incorporated
DMT4S1K-F
CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Техническая спецификация
DataShieT File обзор