DMN90H8D5HCT
| Номер детали производителя | DMN90H8D5HCT |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB |
| Упаковка | TO-220-3 |
| В наличии | 116052 pcs |
| Техническая спецификация | Obsolete Notice 02/Nov/2022Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Site Chg 6/Aug/2020DMN90H8D5HCT |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 |
|---|---|
| $0.439 | $0.393 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 116052 Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 900 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Базовый номер продукта | DMN90 |
Рекомендуемые продукты
-
DMNF1-288-C
CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110Panduit Corp -
DMN80H2D0SCTI
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220ABDiodes Incorporated -
DMN68M7SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 TDiodes Incorporated -
DMNF1-285-C
CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110Panduit Corp -
DMN7022LFG-13
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8Diodes Incorporated -
DMNF1-285FIB-3K
CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110Panduit Corp -
DMN90H8D5HCTI
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220ABDiodes Incorporated -
DMN95H2D2HCTI
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220ABDiodes Incorporated -
DMNF1-288FIB-3K
CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110Panduit Corp -
DMN7022LFGQ-13
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333Diodes Incorporated -
DMNF1-288FIB-C
CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110Panduit Corp -
DMN67D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&RDiodes Incorporated -
DMN95H8D5HCTI
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220ABDiodes Incorporated -
DMNF1-285FIB-C
CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110Panduit Corp -
DMN67D8LW-7
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323Diodes Incorporated -
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323Diodes Incorporated -
DMN95H8D5HCT
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220ABDiodes Incorporated -
DMN7022LFG-7
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8Diodes Incorporated -
DMN7022LFGQ-7
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333Diodes Incorporated -
DMN90H2D2HCTI
MOSFET N-CH 900V 6A ITO220ABDiodes Incorporated