Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > DMN62D0LFB-7B
DMN62D0LFB-7B Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN62D0LFB-7B

Номер детали производителя DMN62D0LFB-7B
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Упаковка X1-DFN1006-3
В наличии 1568643 pcs
Техническая спецификация Diodes Environmental Compliance CertBond Wire 11/Nov/2011Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018DMN62D0LFB
Справочная цена (В долларах США)
10000 30000 50000 100000
$0.033 $0.031 $0.028 $0.027
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1568643 Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства X1-DFN1006-3
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4V
Рассеиваемая мощность (макс) 470mW (Ta)
Упаковка / 3-UFDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 32 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 0.45 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100mA (Ta)
Базовый номер продукта DMN62

Рекомендуемые продукты

DMN62D0LFB-7B DataSheet PDF

Техническая спецификация