Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN30H4D0L-13-52

Номер детали производителя	DMN30H4D0L-13-52
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET BVDSS: 251V~500V SOT23 T&
Упаковка	SOT-23-3
В наличии	405847 pcs
Техническая спецификация	DMN30H4D0L

Справочная цена (В долларах США)

10000
$0.092

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 405847 Diodes Incorporated DMN30H4D0L-13-52 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	SOT-23-3
Серии	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 300mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	310mW (Ta)
Упаковка /	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка	Bulk
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	187.3 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	7.6 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	300 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	250mA (Ta)
Базовый номер продукта	DMN30