DMN3032LE-13

Номер детали производителя	DMN3032LE-13
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Упаковка	SOT-223-3
В наличии	437534 pcs
Техническая спецификация	DMN3032LE Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021 Diodes Environmental Compliance Cert

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.222	$0.189	$0.141	$0.111	$0.086

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 437534 Diodes Incorporated DMN3032LE-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	SOT-223-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 3.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.8W (Ta)
Упаковка /	TO-261-4, TO-261AA
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	498 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.6A (Ta)
Базовый номер продукта	DMN3032