Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMN3016LDN-13
Diodes Incorporated

DMN3016LDN-13

Номер детали производителя DMN3016LDN-13
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Упаковка V-DFN3030-8 (Type J)
В наличии 568496 pcs
Техническая спецификация DMN3016LDNMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert
Справочная цена (В долларах США)
10000 30000 50000
$0.067 $0.064 $0.062
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 568496 Diodes Incorporated DMN3016LDN-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства V-DFN3030-8 (Type J)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1415pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V
FET Характеристика -
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.2A (Ta)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта DMN3016

Рекомендуемые продукты

DMN3016LDN-13 DataSheet PDF

Техническая спецификация