Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN2250UFB-7B

Номер детали производителя	DMN2250UFB-7B
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Упаковка	X1-DFN1006-3
В наличии	1482570 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018 Diodes Environmental Compliance Cert DMN2250UFB

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000	2000	5000
$0.16	$0.12	$0.068	$0.045	$0.034	$0.03	$0.027

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1482570 Diodes Incorporated DMN2250UFB-7B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (макс.)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	X1-DFN1006-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	500mW (Ta)
Упаковка /	3-UFDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	94 pF @ 16 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	3.1 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.35A (Ta)
Базовый номер продукта	DMN2250