Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DMN10H100SK3-13

Номер детали производителя	DMN10H100SK3-13
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Упаковка	TO-252-3
В наличии	365760 pcs
Техническая спецификация	DMN10H100SK3 Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021 Diodes Environmental Compliance Cert

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.27	$0.237	$0.182	$0.144	$0.115

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 365760 Diodes Incorporated DMN10H100SK3-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	TO-252-3
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 3.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	37W (Tc)
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1172 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	25.2 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18A (Tc)
Базовый номер продукта	DMN10