Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DMHC3025LSDQ-13
Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

Номер детали производителя DMHC3025LSDQ-13
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 105103 pcs
Техническая спецификация DMHC3025LSDQ-13~Diodes Environmental Compliance Cert
Справочная цена (В долларах США)
1
$0.31
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 105103 Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V
Мощность - Макс 1.5W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 590pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.7nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A, 4.2A
конфигурация 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта DMHC3025

Рекомендуемые продукты

DMHC3025LSDQ-13 DataSheet PDF

Техническая спецификация