Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > DDTD113ZU-7-F
DDTD113ZU-7-F Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DDTD113ZU-7-F

Номер детали производителя DDTD113ZU-7-F
производитель Diodes Incorporated
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Упаковка SOT-323
В наличии 1594319 pcs
Техническая спецификация Bond Wire 11/Nov/2011Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDDTD(zzzz)U
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.118 $0.097 $0.051 $0.034 $0.023
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1594319 Diodes Incorporated DDTD113ZU-7-F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SOT-323
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 10 kOhms
Резистор - основание (R1) 1 kOhms
Мощность - Макс 200 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-70, SOT-323
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 200 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
Базовый номер продукта DDTD113

Рекомендуемые продукты

DDTD113ZU-7-F DataSheet PDF

Техническая спецификация