Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

DDTC115GE-7-F

Номер детали производителя	DDTC115GE-7-F
производитель	Diodes Incorporated
Подробное описание	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Упаковка	SOT-523
В наличии	1606896 pcs
Техническая спецификация	DDTC1x4GE, DDTC115GE

Справочная цена (В долларах США)

3000
$0.028

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 1606896 Diodes Incorporated DDTC115GE-7-F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор	NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	SOT-523
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	100 kOhms
Мощность - Макс	150mW
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	SOT-523
Другие названия	DDTC115GE-FDITR

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход	250MHz
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	82 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Номер базового номера	DDTC115