Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SPS02N60C3
Infineon Technologies

SPS02N60C3

Номер детали производителя SPS02N60C3
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Упаковка PG-TO251-3-11
В наличии 4339 pcs
Техническая спецификация SPS02N60C3Part Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4339 Infineon Technologies SPS02N60C3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.9V @ 80µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO251-3-11
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 25W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 200 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.8A (Tc)
Базовый номер продукта SPS02N

Рекомендуемые продукты

SPS02N60C3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SPS02N60C3

Связанные детали для SPS02N60C3