Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SPP10N10
SPP10N10 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SPP10N10

Номер детали производителя SPP10N10
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Упаковка PG-TO220-3-1
В наличии 5776 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008SP(I,P,B)10N10
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5776 Infineon Technologies SPP10N10 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 21µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3-1
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 7.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 50W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 426 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 19.4 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.3A (Tc)
Базовый номер продукта SPP10N

Рекомендуемые продукты

SPP10N10 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SPP10N10

Связанные детали для SPP10N10