Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SPB18P06PGATMA1

Номер детали производителя	SPB18P06PGATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Упаковка	PG-TO263-3
В наличии	138075 pcs
Техническая спецификация	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$0.588	$0.526	$0.41	$0.338

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 138075 Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-3
Серии	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	81.1W (Ta)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	860 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18.7A (Ta)
Базовый номер продукта	SPB18P06