Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SPB08P06P
SPB08P06P Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SPB08P06P

Номер детали производителя SPB08P06P
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 5921 pcs
Техническая спецификация SPB08P06PPart Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5921 Infineon Technologies SPB08P06P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 42W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 420 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.8A (Ta)
Базовый номер продукта SPB08P

Рекомендуемые продукты

SPB08P06P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SPB08P06P

Связанные детали для SPB08P06P