Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SPB02N60C3ATMA1

Номер детали производителя	SPB02N60C3ATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Упаковка	PG-TO263-3-2
В наличии	4036 pcs
Техническая спецификация	Part Number Guide

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4036 Infineon Technologies SPB02N60C3ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-3-2
Серии	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 1.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	25W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	200 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	12.5 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.8A (Tc)
Базовый номер продукта	SPB02N