Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > SIGC11T60SNCX1SA2
Infineon Technologies

SIGC11T60SNCX1SA2

Номер детали производителя SIGC11T60SNCX1SA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Упаковка Die
В наличии 6586 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 24/Sep/2019SIGC11T60SNC
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6586 Infineon Technologies SIGC11T60SNCX1SA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.4V @ 15V, 10A
режим для испытаний 400V, 10A, 25Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 28ns/198ns
Переключение энергии -
Поставщик Упаковка устройства Die
Серии -
Упаковка / Die
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип ввода Standard
Тип IGBT NPT
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 30 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 10 A
Базовый номер продукта SIGC11

Рекомендуемые продукты

SIGC11T60SNCX1SA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIGC11T60SNCX1SA2

Связанные детали для SIGC11T60SNCX1SA2