Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - RF > PTAB182002TCV2R250XTMA1
Infineon Technologies

PTAB182002TCV2R250XTMA1

Номер детали производителя PTAB182002TCV2R250XTMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Упаковка H-49248H-4
В наличии 6842 pcs
Техническая спецификация PTAB182002TCPart Number GuideMult Device EOL 30/Sep/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6842 Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - испытания 28 V
Напряжение - Номинальный 65 V
Технологии LDMOS
Поставщик Упаковка устройства H-49248H-4
Серии -
Выходная мощность 29W
Упаковка / H-49248H-4
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Коэффициент шума -
Тип установки Surface Mount
Усиление 14.8dB
частота 1.805GHz ~ 1.88GHz
Текущий рейтинг (AMP) 10µA
Ток - Тест 520 mA

Рекомендуемые продукты

PTAB182002TCV2R250XTMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация