Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRLR4343PBF
IRLR4343PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRLR4343PBF

Номер детали производителя IRLR4343PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Упаковка D-Pak
В наличии 5856 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideIRL(R,U)4343(-701)PbF
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5856 Infineon Technologies IRLR4343PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D-Pak
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 79W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 740 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 26A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRLR4343PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRLR4343PBF

Связанные детали для IRLR4343PBF