Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRLR3410PBF-INF
Infineon Technologies

IRLR3410PBF-INF

Номер детали производителя IRLR3410PBF-INF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание HEXFET POWER MOSFET
Упаковка D-Pak
В наличии 5663 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5663 Infineon Technologies IRLR3410PBF-INF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D-Pak
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 79W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 34 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRLR3410PBF-INF DataSheet PDF

Ключевые слова для IRLR3410PBF-INF

Связанные детали для IRLR3410PBF-INF