Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRL8113LPBF
Infineon Technologies

IRL8113LPBF

Номер детали производителя IRL8113LPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 105A TO262
Упаковка TO-262
В наличии 6789 pcs
Техническая спецификация IRL8113(S,L)PbFPart Number GuideMultiple Devices 19/Jun/2012
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6789 Infineon Technologies IRL8113LPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-262
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 110W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2840 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 105A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRL8113LPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRL8113LPBF

Связанные детали для IRL8113LPBF