IRL1004LPBF
Номер детали производителя | IRL1004LPBF |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 130A TO262 |
Упаковка | TO-262 |
В наличии | 5283 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMultiple Devices 19/Jun/2012 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5283 Infineon Technologies IRL1004LPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-262 |
Серии | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 78A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Упаковка | Tube |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5330 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 130A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IRL1004STRR
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKInfineon Technologies -
IRL1004STRL
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKInfineon Technologies -
IRL1004STRLPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKInfineon Technologies -
IRL1004
MOSFET N-CH 40V 130A TO220ABInfineon Technologies -
IRL1004SPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKInfineon Technologies -
IRL1104L
MOSFET N-CH 40V 104A TO262Infineon Technologies -
IRL04EAB 300X200X0.5
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFNInfineon Technologies -
IRL02A 200X200X2
RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"TDK Corporation -
IRL1004S
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKInfineon Technologies -
IRL03AB 300X200X0.5
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRL1104
MOSFET N-CH 40V 104A TO220ABInfineon Technologies -
IRL05AB 300X200X0.1
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRL02A 200X200X1
RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"TDK Corporation -
IRL1004L
MOSFET N-CH 40V 130A TO262Infineon Technologies -
IRL02AB 300X200X0.05
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRL1004PBF
MOSFET N-CH 40V 130A TO220ABInfineon Technologies -
IRL04EAB 300X200X0.25
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRL03AB 300X200X0.25
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRL1004STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKInfineon Technologies