Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > IRG8CH106K10F
Infineon Technologies

IRG8CH106K10F

Номер детали производителя IRG8CH106K10F
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT 1200V 110A DIE
Упаковка Die
В наличии 4006 pcs
Техническая спецификация IRG8CH106K10FPart Number GuideMult Device EOL 30/Mar/2016Mult Device EOL REV 11/Apr/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4006 Infineon Technologies IRG8CH106K10F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2V @ 15V, 110A
режим для испытаний 600V, 110A, 1Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 80ns/380ns
Переключение энергии -
Поставщик Упаковка устройства Die
Серии -
Упаковка / Die
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Заряд затвора 700 nC
Базовый номер продукта IRG8CH

Рекомендуемые продукты

IRG8CH106K10F DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRG8CH106K10F

Связанные детали для IRG8CH106K10F