Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFR120ZTR
IRFR120ZTR Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFR120ZTR

Номер детали производителя IRFR120ZTR
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Упаковка D-Pak
В наличии 6023 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 11/Aug/2008IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6023 Infineon Technologies IRFR120ZTR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D-Pak
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 5.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 35W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 310 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.7A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFR120ZTR DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFR120ZTR

Связанные детали для IRFR120ZTR