Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFL1006PBF
IRFL1006PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFL1006PBF

Номер детали производителя IRFL1006PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Упаковка SOT-223
В наличии 3928 pcs
Техническая спецификация IRFL1006PbFIR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3928 Infineon Technologies IRFL1006PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-223
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Ta)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 160 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.6A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRFL1006PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFL1006PBF

Связанные детали для IRFL1006PBF