Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFB23N20D
IRFB23N20D Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFB23N20D

Номер детали производителя IRFB23N20D
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 6622 pcs
Техническая спецификация IRFB23N20D, IRFS(L)23N20DHiRel EOL 28/Jun/2015IR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6622 Infineon Technologies IRFB23N20D в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1960 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 24A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFB23N20D DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFB23N20D

Связанные детали для IRFB23N20D