Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF9910PBF
IRF9910PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF9910PBF

Номер детали производителя IRF9910PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 4812 pcs
Техническая спецификация Warehouse Transfer 29/Jul/2015Pkg Type Disc 16/May/2016IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4812 Infineon Technologies IRF9910PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс 2W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 900pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A, 12A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF99

Рекомендуемые продукты

IRF9910PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF9910PBF

Связанные детали для IRF9910PBF