Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF8113TRPBF-1

Номер детали производителя	IRF8113TRPBF-1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Упаковка	8-SOIC
В наличии	6282 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Site Add 28/Aug/2020 Mult Dev EOL 3/Jun/2020 IRF8113PbF-1

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6282 Infineon Technologies IRF8113TRPBF-1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	2.5W (Ta)
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2910 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	36 nC @ 4.5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	17.2A (Ta)