Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF7492PBF
IRF7492PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF7492PBF

Номер детали производителя IRF7492PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Упаковка 8-SO
В наличии 5582 pcs
Техническая спецификация IRF7492PbFIR Part Numbering SystemGen 10.1 Devices 12/Sept/2012
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5582 Infineon Technologies IRF7492PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1820 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.7A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF7492PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF7492PBF

Связанные детали для IRF7492PBF