Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF7329PBF
IRF7329PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF7329PBF

Номер детали производителя IRF7329PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 6885 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018IR Part Numbering SystemMult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6885 Infineon Technologies IRF7329PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Мощность - Макс 2W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3450pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 57nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.2A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF732

Рекомендуемые продукты

IRF7329PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF7329PBF

Связанные детали для IRF7329PBF