Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF6723M2DTR1P
Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

Номер детали производителя IRF6723M2DTR1P
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Упаковка DIRECTFET™ MA
В наличии 4453 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 20/Dec/2013IRF6723M2DTR(1)PbF
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4453 Infineon Technologies IRF6723M2DTR1P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ MA
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V
Мощность - Макс 2.7W
Упаковка / DirectFET™ Isometric MA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1380pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF6723

Рекомендуемые продукты

IRF6723M2DTR1P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6723M2DTR1P

Связанные детали для IRF6723M2DTR1P