Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6100
Infineon Technologies

IRF6100

Номер детали производителя IRF6100
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Упаковка 4-FlipFet™
В наличии 4786 pcs
Техническая спецификация IRF6100IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4786 Infineon Technologies IRF6100 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-FlipFet™
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.2W (Ta)
Упаковка / 4-FlipFet™
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 21 nC @ 5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.1A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF6100 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6100

Связанные детали для IRF6100