Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF5802
IRF5802 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF5802

Номер детали производителя IRF5802
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Упаковка Micro6™(TSOP-6)
В наличии 6536 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemIRF5802
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6536 Infineon Technologies IRF5802 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства Micro6™(TSOP-6)
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta)
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 88 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 900mA (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF5802 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF5802

Связанные детали для IRF5802