Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF3707ZSTRLPBF
IRF3707ZSTRLPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF3707ZSTRLPBF

Номер детали производителя IRF3707ZSTRLPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 5794 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Devices EOL 08/May/2019IRF3707Z (S,L) PbFFab Site Addition 07/Aug/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5794 Infineon Technologies IRF3707ZSTRLPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 21A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 57W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1210 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 59A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF3707ZSTRLPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация