Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF1902GPBF
IRF1902GPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF1902GPBF

Номер детали производителя IRF1902GPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Упаковка 8-SO
В наличии 6886 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6886 Infineon Technologies IRF1902GPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 310 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.2A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF1902GPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF1902GPBF

Связанные детали для IRF1902GPBF