Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPW65R190E6
Infineon Technologies

IPW65R190E6

Номер детали производителя IPW65R190E6
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO247-3-41
В наличии 51389 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
160
$0.681
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 51389 Infineon Technologies IPW65R190E6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO247-3-41
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 151W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1620 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20.2A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPW65R190E6 DataSheet PDF

Ключевые слова для IPW65R190E6

Связанные детали для IPW65R190E6