Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPW60R190P6
Infineon Technologies

IPW60R190P6

Номер детали производителя IPW60R190P6
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Упаковка PG-TO247
В наличии 3961 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3961 Infineon Technologies IPW60R190P6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 630µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 151W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1750 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20.2A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPW60R190P6 DataSheet PDF

Ключевые слова для IPW60R190P6

Связанные детали для IPW60R190P6