Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPTG111N20NM3FDATMA1
Infineon Technologies

IPTG111N20NM3FDATMA1

Номер детали производителя IPTG111N20NM3FDATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Упаковка PG-HSOG-8-1
В наличии 20313 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.915 $2.632 $2.179 $1.897
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 20313 Infineon Technologies IPTG111N20NM3FDATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 267µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-HSOG-8-1
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 96A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Упаковка / 8-PowerSMD, Gull Wing
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7000 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Базовый номер продукта IPTG111N

Рекомендуемые продукты

IPTG111N20NM3FDATMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IPTG111N20NM3FDATMA1

Связанные детали для IPTG111N20NM3FDATMA1