IPT210N25NFDATMA1

Номер детали производителя	IPT210N25NFDATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MV POWER MOS
Упаковка	PG-HSOF-8-1
В наличии	16299 pcs
Техническая спецификация	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$3.755	$3.391	$2.807	$2.445	$2.129

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 16299 Infineon Technologies IPT210N25NFDATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 267µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-HSOF-8-1
Серии	OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 69A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	375W (Tc)
Упаковка /	8-PowerSFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	7000 pF @ 125 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	69A (Tc)
Базовый номер продукта	IPT210